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產品型號：688/718
SJT688A PNP型硅三極管
SJT688APPN PNP 型硅三極管采用平面三極管工藝技術制造，多層外延、超低密度晶體缺陷、聚酰亞胺鈍化、小于 200 微米的薄芯片等先進技術的使用使得 SJT688APPN 具有熱阻低、耗散功率大、可靠性好的特點。優化的芯片結構設計和封裝設計提升了器件的抗二次擊穿能力。
該產品主要應用于家用于汽車音響等音頻功率放大器的功率輸出級， 具有線性范圍寬、失真度低的特點。
SJT688APPN 三極管目前可提供 TO-3P 封裝外形?；パa NPN 管：SJT718ANPN。
較高的擊穿電壓余量。
非常低的漏電電流。
高輸出功率：80W；
較高的二次擊穿耐量和可靠性。
產品命名規則
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產品規格分類
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產 品 名 稱 |
封裝形式 |
打印名稱 |
材料 |
包裝 |
|
SJT688APPN |
TO-3P |
688A |
無鉛 |
料管 |
極限參數(除非特殊說明，Ta=25°C)
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參 數 |
符 號 |
參 數 范 圍 |
單 位 |
|
|
集電極、發射極擊穿電壓 |
BVCEO |
-120 |
IC=5mA，IB=0 |
V |
|
發射極、基極擊穿電壓 |
BVEBO |
-5 |
IE=1mA，IC=0 |
V |
|
集電極、基極擊穿電壓 |
BVCBO |
-120 |
IC=1mA，IE=0 |
V |
|
集電極電流 |
IC |
-10 |
A |
|
|
基極電流 |
IB |
-1 |
A |
|
|
工作結溫 |
TJ |
-55~+150 |
°C |
|
|
存儲溫度 |
Tstg |
-55~+150 |
°C |
|
|
集電極耗散功率（Tc=25°C） |
PC |
80 |
W |
|
電參數(除非特殊說明，Ta=25°C)
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參 數 |
符 號 |
測 試 條 件 |
最小值 |
典型 |
最大值 |
單位 |
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直流電流增益 |
HFE |
VCE=-5V，IC=-1A |
55 |
- |
160 |
- |
|
集電極、發射極飽和壓降 |
VCE(sat) |
IC=-6A，IB=-0.6A |
- |
- |
-2 |
V |
|
基極、發射極電壓 |
VBE |
VCE=-5V，IC=-5A |
- |
- |
-1.5 |
V |
|
集電極、基極漏電電流 |
ICBO |
VCB=-120V，IE=0 |
- |
- |
-10 |
μA |
|
集電極、發射極漏電電流 |
ICEO |
VCE=-120V，IB=0 |
- |
- |
100 |
μA |
|
發射極、基極漏電電流 |
IEBO |
VEB=-5V，IC=0 |
- |
- |
-10 |
μA |
|
三極管頻率 |
FT |
VCE=-5V，IC=-1A |
- |
10 |
- |
MHZ |
|
集電極輸出電容 |
COb |
VCB =-10V，IE =0，f =1MHz |
- |
230 |
- |
pF |
典型特性曲線（續）
