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產品型號：1943/5200
SJT5200 NPN型硅三極管
描述
SJT5200NPL NPN 型硅三極管采用平面三極管工藝技術制造。
該產品主要應用在 150W 高保真音頻放大輸出。SJT5200NPL 三極管目前可提供 TO-264-3L 封裝外形?；パa PNP 管：SJT1943PPL。
較高的擊穿電壓。
很小的漏電電流。
|
產 品 名 稱 |
封裝形式 |
打印名稱 |
材料 |
包裝 |
|
SJT5200NPL |
TO-264-3L |
5200 |
無鉛 |
料管 |
極限參數(除非特殊說明，Ta=25°C)
|
參 數 |
符 號 |
參 數 范 圍 |
單 位 |
|
|
集電極、發射極擊穿電壓 |
BVCEO |
230 |
IC=5mA，IB=0 |
V |
|
發射極、基極擊穿電壓 |
BVEBO |
5 |
IE=1mA，IC=0 |
V |
|
集電極、基極擊穿電壓 |
BVCBO |
230 |
IC=1mA，IE=0 |
V |
|
集電極電流 |
IC |
15 |
A |
|
|
基極電流 |
IB |
1.5 |
A |
|
|
工作結溫 |
TJ |
-55~+150 |
°C |
|
|
存儲溫度 |
Tstg |
-55~+150 |
°C |
|
|
集電極耗散功率（Tc=25°C） |
PC |
150 |
W |
|
電參數(除非特殊說明，Ta=25°C)
|
參 數 |
符 號 |
測 試 條 件 |
最小值 |
典型 |
最大值 |
單位 |
|
直流電流增益 |
HFE |
VCE=5V，IC=1A |
55 |
- |
160 |
- |
|
VCE=5V，IC=7A |
35 |
- |
- |
- |
||
|
集電極、發射極飽和壓降 |
VCE(sat) |
IC=8A，IB=0.8A |
- |
0.3 |
2 |
V |
|
基極、發射極電壓 |
VBE |
VCE=5V，IC=7A |
- |
0.9 |
1.5 |
V |
|
集電極、基極漏電電流 |
ICBO |
VCE=230V，IB=0 |
- |
- |
5 |
μA |
|
發射極、基極漏電電流 |
IEBO |
VCB=5V，IC=0 |
- |
- |
5 |
μA |
|
集電極輸出電容 |
COB |
VCB =-10V，IE =0，f =1MHz |
- |
200 |
- |
pF |
典型特性曲線
