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      產品型號:1943/5200

      產品介紹

       SJT5200 NPN型硅三極管

       

       描述

      SJT5200NPL NPN 型硅三極管采用平面三極管工藝技術制造。

      該產品主要應用在 150W 高保真音頻放大輸出。SJT5200NPL 三極管目前可提供 TO-264-3L 封裝外形?;パa PNP 管:SJT1943PPL。

      特點

      較高的擊穿電壓。

      很小的漏電電流。

       

      產品命名規則

       

       

      產品規格分類

      產 品 名 稱

      封裝形式

      打印名稱

      材料

      包裝

      SJT5200NPL

      TO-264-3L

      5200

      無鉛

      料管

       

      極限參數(除非特殊說明,Ta=25°C)

      參 數

      符 號

      參 數 范 圍

      單 位

      集電極、發射極擊穿電壓

      BVCEO

      230

      IC=5mA,IB=0

      V

      發射極、基極擊穿電壓

      BVEBO

      5

      IE=1mA,IC=0

      V

      集電極、基極擊穿電壓

      BVCBO

      230

      IC=1mA,IE=0

      V

      集電極電流

      IC

      15

      A

      基極電流

      IB

      1.5

      A

      工作結溫

      TJ

      -55~+150

      °C

      存儲溫度

      Tstg

      -55~+150

      °C

      集電極耗散功率(Tc=25°C)

      PC

      150

      W

       

      電參數(除非特殊說明,Ta=25°C)

      參 數

      符 號

      測 試 條 件

      最小值

      典型

      最大值

      單位

       

      直流電流增益

       

      HFE

      VCE=5V,IC=1A

      55

      -

      160

      -

      VCE=5V,IC=7A

      35

      -

      -

      -

      集電極、發射極飽和壓降

      VCE(sat)

      IC=8A,IB=0.8A

      -

      0.3

      2

      V

      基極、發射極電壓

      VBE

      VCE=5V,IC=7A

      -

      0.9

      1.5

      V

      集電極、基極漏電電流

      ICBO

      VCE=230V,IB=0

      -

      -

      5

      μA

      發射極、基極漏電電流

      IEBO

      VCB=5V,IC=0

      -

      -

      5

      μA

      集電極輸出電容

      COB

      VCB =-10V,IE =0,f =1MHz

      -

      200

      -

      pF

      典型特性曲線

      封裝外形圖

       

       

       

       

       

      • 電話:0575-88125156
      • 郵箱:txkj@s-txkj.com
      • 地址:浙江省紹興市解放大道669號巨星大廈5樓

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